【2024年10月17日– 江蘇無錫】

近日，由I.S.E.S國際半導(dǎo)體高管峰會參與主辦的“2024國際汽車半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展交流會”在無錫盛大舉行，瑞能半導(dǎo)體首席戰(zhàn)略及商務(wù)運(yùn)營官沈鑫作為代表受邀出席。本次交流會匯聚了來自全球的汽車與半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂尖專家和企業(yè)高管，旨在聚焦汽車電子、功率半導(dǎo)體以及智能網(wǎng)聯(lián)技術(shù)的前沿發(fā)展，共探全球汽車產(chǎn)業(yè)智能化與綠色轉(zhuǎn)型升級的新機(jī)遇。

大會伊始，無錫市政協(xié)副主席、惠山區(qū)委書記吳建元致歡迎辭，表達(dá)了對進(jìn)一步推動產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的堅(jiān)定決心。近年來，惠山區(qū)緊密圍繞產(chǎn)業(yè)升級和技術(shù)創(chuàng)新，著力打造汽車電子和集成電路產(chǎn)業(yè)集群，未來將繼續(xù)加大投入，推動產(chǎn)業(yè)邁向更高水平。國際半導(dǎo)體高管峰會(ISES)總裁、聯(lián)合創(chuàng)始人Salah Nasri表示，“隨著新能源汽車和智能網(wǎng)聯(lián)汽車的發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)將在推動汽車行業(yè)變革中發(fā)揮不可或缺的作用，全球協(xié)同創(chuàng)新就是應(yīng)對未來技術(shù)挑戰(zhàn)的關(guān)鍵。”

全新視野，“種子選手”鎖定轉(zhuǎn)型新機(jī)遇

瑞能半導(dǎo)體首席戰(zhàn)略及商務(wù)運(yùn)營官沈鑫在現(xiàn)場就圍繞“高電壓SiC MOSFET用于可再生能源應(yīng)用，具有更簡單的設(shè)計(jì)和更高的功率密度”進(jìn)行了深度分享。他強(qiáng)調(diào)，“從汽車到可再生能源，碳化硅的一系列場景應(yīng)用正在改變電力電子領(lǐng)域。瑞能半導(dǎo)體憑借敏銳的行業(yè)嗅覺，早已意識到這一技術(shù)的重要性正在與日俱增，已經(jīng)對碳化硅器件的開發(fā)和生產(chǎn)展開積極的布局。”

瑞能半導(dǎo)體首席戰(zhàn)略及商務(wù)運(yùn)營官沈鑫

特別是在高壓電力電子系統(tǒng)中，與硅相比，碳化硅功率器件擁有更多的應(yīng)用優(yōu)勢。碳化硅不僅能夠提供比現(xiàn)有硅技術(shù)更高的操作電壓、更寬的溫度范圍和更高的開關(guān)頻率，而且工作損耗降低帶來了效率提升，同時也減少了散熱需求，整體系統(tǒng)成本有望降低約30%。

事實(shí)上，瑞能半導(dǎo)體SiC MOSFET系列產(chǎn)品具有高擊穿電壓、低比導(dǎo)通RDSON、高熱導(dǎo)率和高結(jié)溫（Tj）高門極可靠性等特點(diǎn)，允許SiC MOSFET處理比相近規(guī)格的Si MOSFET高得多的電流和電壓，因此功率密度更高。這些優(yōu)勢可轉(zhuǎn)化為更低的功率變換損耗、更高的效率、更簡單的變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)以及更好的高溫性能。

應(yīng)用場景優(yōu)勢下，尋求更大突破

當(dāng)下，碳化硅器件作為第三代半導(dǎo)體，已成為被多個行業(yè)所共同追捧的創(chuàng)新技術(shù)。市場分析顯示，碳化硅市場正在蓬勃發(fā)展，預(yù)計(jì)到2028年市場規(guī)模將達(dá)到50億美元。

基于碳化硅廣泛的應(yīng)用場景，瑞能半導(dǎo)體正積極致力于碳化硅器件的開發(fā)和生產(chǎn)。在去年，位于上海金山高新區(qū)的瑞能半導(dǎo)體全球首座模塊工廠正式投入運(yùn)營，專門生產(chǎn)應(yīng)用于消費(fèi)、通訊、新能源以及汽車相關(guān)的各類型功率模塊及分立器件產(chǎn)品，串聯(lián)客戶和生態(tài)圈，積極推動行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

近年來，瑞能半導(dǎo)體尤其關(guān)注快速擴(kuò)張的電動汽車市場，在碳化硅生產(chǎn)過程中，瑞能通過使用經(jīng)行業(yè)認(rèn)證的代工廠，確保其車規(guī)半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)施符合汽車行業(yè)的要求。為確保產(chǎn)品的可靠性和產(chǎn)品服務(wù)能力，瑞能還在運(yùn)營自有的可靠性實(shí)驗(yàn)室和故障分析中心，目前已經(jīng)通過了CNAS實(shí)驗(yàn)室認(rèn)證。

在產(chǎn)品和技術(shù)布局方面，瑞能半導(dǎo)體SiC  MOSFET產(chǎn)品系列：覆蓋電壓范圍650V~2200V、擁有極具競爭力的比導(dǎo)通電阻（RON,SP）和包括頂部散熱和模塊產(chǎn)品在內(nèi)的各種封裝類型，極大的拓寬了瑞能SiC 產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。特別需要指出的是，瑞能第二代SiC MOSFET擁有極強(qiáng)的短路能力，在18V和800V電壓下的短路耐受時間長達(dá)3.5uS，從而確保了可靠性，保證了足夠的短路保護(hù)時間，配合控制端采用多種靈活的短路保護(hù)策略可以有效避免了故障擴(kuò)大化，確保器件應(yīng)用安全。以上諸多特性非常適用于EV主逆變器和OBC等應(yīng)用，有助于提升電動汽車效率和增加續(xù)航里程，同時最大程度確保應(yīng)用安全。

此外，瑞能半導(dǎo)體的SiC MOSFET在推薦18V 驅(qū)動電壓以獲得更低的導(dǎo)通阻抗，突出設(shè)計(jì)經(jīng)濟(jì)型，同時提供15V柵極驅(qū)動電壓下的RDSON明確標(biāo)注，確保兼容性，器件設(shè)計(jì)可確保此較低驅(qū)動電壓下正常工作，也便于應(yīng)用到硅器件的設(shè)計(jì)架構(gòu)中。瑞能SiC MOS產(chǎn)品的柵氧設(shè)計(jì)經(jīng)過特別的優(yōu)化和嚴(yán)格的可靠性驗(yàn)證，HTGB測試條件范圍達(dá)到了-12V~24V，試驗(yàn)前后Vth均未發(fā)生明顯漂移， 最大程度上保證了長期應(yīng)用安全。

瑞能會持續(xù)深耕SiC領(lǐng)域，不斷挖掘SiC 器件潛力，拓展SiC產(chǎn)品類型和應(yīng)用范圍，最大程度上服務(wù)市場需求，領(lǐng)導(dǎo)產(chǎn)業(yè)升級，持續(xù)為市場貢獻(xiàn)高性能，高可靠，多樣化的SiC產(chǎn)品選擇，為客戶和產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)造更大價值。

本次交流會匯聚全球行業(yè)專家及領(lǐng)先企業(yè)的技術(shù)分享與思想碰撞，瑞能半導(dǎo)體的受邀參與，不僅彰顯了瑞能在行業(yè)創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也進(jìn)一步深化了其與廣大半導(dǎo)體制造商和設(shè)備制造商的交流與合作。未來，瑞能半導(dǎo)體將依托專業(yè)的技術(shù)和開發(fā)團(tuán)隊(duì)，打造更多優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，為客戶提供更多優(yōu)秀的解決方案，助推全球汽車半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與升級。

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關(guān)于瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體專注于功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，傳承逾50年的核心技術(shù)，全球銷售點(diǎn)遍布大中華區(qū)、歐洲、亞太及美洲，產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋智能家電，電動汽車，通訊工業(yè)等行業(yè)，為客戶在各自細(xì)分行業(yè)提供可靠專業(yè)的技術(shù)支持。瑞能半導(dǎo)體掌握獨(dú)立的功率半導(dǎo)體技術(shù)，憑借優(yōu)異的品質(zhì)和性能，其產(chǎn)品已被全球眾多知名企業(yè)驗(yàn)證并使用。

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